【智车派新闻】随着新能源汽车�V甚�V高压平台快速迁移，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代功率半导体正迎来装车高峰。佐思汽研最新发布的《2025年车规级功率半导体和模组（SiC、GaN）行业研究报告》显示，2024年中�‑1000V高压架构乘用车销量已�.9万辆，占新能源乘用车总销量񊄮.9%；预�年该比例将提升�.9%，销量�.5万辆，�年渗透率更将超�%，销量规模�年�倍以上。

智车派注意到，SiC功率器件凭借耐高压、低损耗、高频特性，成�V及以上平台的主驱逆变器、车载充电器（OBC）、DC/DC转换器等核心部件的首选。报告指出，2024年中国乘用车SiC/GaN功率芯片（含车规及充电设备）需求量𰹄.73亿颗，2025年预计񙵭.46亿颗，同比增�.6%，2030年需求规模将进一步攀升񑎄.08亿颗。

车企方面，比亚迪已率先推出车规�V SiC功率芯片，搭载叠层激光焊、纳米银烧结等工艺，使杂散电感降�%、热阻降�%，并支持高�kW的充电功率，成本较进口降�%。该芯片已首次量产应用于汉L EV、唐L EV、仰望U7（参数丨图片）、腾势N9等车型。东风奕派亦计划在下一代�V平台采�V SiC电源模块，开关损耗降�%，系统效率�%提升�%，可延长续񑖧%以上。

GaN器件凭借高开关频率、低损耗优势，已在车载OBC领域取得突破。特斯拉、长安汽车、吉利威睿等车企，以及汇川联合动力、联合汽车电子等Tier 1厂商均已导入GaN方案。除OBC外，GaN在DC-DC转换器、车载激光雷达等领域的应用也在拓展。